Naučnici su napravili elektronske diode koje nadmašuju performanse 5G
Nova komponenta bazirana na galijum-nitridu.
Dejvid Storm, fizičar i istraživač, i Tajler Grouden, elektroinženjer, u saradnji sa Američkom pomorskom istraživačkom laboratorijom, napravili su novu elektronsku komponentu od galijum-nitrida, nazvanu rezonantna tunelska dioda (RTD), sa očekivanim performansama iznad brzina 5G mreže.
Diode omogućavaju izuzetno brz prenos elektrona. Tako velika brzina iskorišćava pojavu, koja se zove kvantno tunelovanje.
Grouden je rekao: “Naš rad je pokatao da diode na bazi galijum-nitrida nijesu svojstveno spore, na što su druge ukazivale. Pokazale su se bolje u vezi frekvencije i izlazne snage od dioda napravljenih od drugih materijala”.
Dizajn dioda je pokazao rekordne izlazne struje i brzine prelaznih stanja, podržavajući primjenu u elektromagnetici kod talasa u oblasti milimetara i frekvencija u terahercima. Takve primjene bi mogle da objedine: razmjenjivanje, umrežavanje i očitavanje.
Mjerenja, izvršena na stotinama uređaja različitih veličina, pokazala su da prinos iznosi oko 90%.
Storm je rekao: “Dostizanje visokog prinosa kod operacionih tunelskih uređaja zna da bude teško, jer oni zahtijevaju oštre interfejse na atomskom nivou, i vrlo su osjetljivi na mnogobrojne izvore rasipanja i curenja”.
“Sve do sada, sa galijum-nitridom se teško radilo, iz tačke gledišta proizvodnje. Ne bih da se hvalim, ali naš visoki prinos je bio prejednostavan, i to većinom zbog našeg dizajna.”
Naučnici su istakli da posvećeno rade na stalnom dotjerivanju njihog dizajna RTD-a, kako bi poboljšali izlaznu struju bez gubljenja nivoa snage. Svoj rad su obavili zajedno sa svojim kolegama sa saveznim univerzitetima u Ohajo i Vrajt, kao i industrijskim partnerima.
Izvor: techexplorist.com
