Tehnologija za najgušće skladištenje podataka do sada
Feroelektrični RAM (FeRAM, F-RAM ili FRAM) je memorija sa nasumičnim pristupom, koja postiže nepromjenljivost pomoću feroelektričnog sloja. Podaci se čuvaju posredstvom polarizacije, u kojoj je električni dipol (poput magnetnog polja unutar feroelektrika) poravnat u skladu sa spoljašnjim električnim poljem.
Jedna od značajnih nedostataka FRAM-a je njegova manja gustina skladištenja podataka. Zato, da bi se ona povećala, potrebno je da se integriše što više uređaja, smanjujući veličinu čipa. Kod feroelektrika, smanjivanje fizičke veličine dovodi do nestajanja polarizacije, što pomaže kod skladištenja podataka u feroelektričnim materijalima.
To se dešava zato što raspodjela feroelektričnih domena, malih oblasti u kojima se dešava spontana polarizacija, zahtijeva, u svakom slučaju, skup hiljada atoma. Na ovaj način, sadašnja istraživanja FRAM tehnologije se usmjeravaju na umanjivanje veličine domena, zadržavajući kapacitet skladištenja.
U novom istraživanju, profesor Jun Hi Li, sa odsjeka za energetiku i hemiju na UNIST-u, predstavio je novu fizičku pojavu, koja obećava poboljšanje kapaciteta memorijskih čipova veličine nokta 1.000 puta.
Naučnici su vidjeli da, dodavanjem male količine električnog naboja poluprovodnom materijalu, koji je poznat kao feroelektrični hafnijum dioksid (HfO2), moguće je upravljati četirma pojedinačnim “jotama” da bi se pohranio jedan bit podataka. Ovo pionirsko istraživanje je prevazišlo ustaljeni obrazac, po kome se može pohraniti jedan bit podataka u hiljadama atoma, u najboljem slučaju. Kada se izradi na odgovarajući način, poluprovodna memorija može da pohrani 500 Tbit/cm2, 1.000 puta više nego fleš memorijski čipovi, koji se danas koriste.
Jun Hi Li je rekao: “Nova tehnologija, koja omogućava pohranjivanje podataka u pojedinačnim atomima, najveće je dostignuće u tehnologiji pohrane podataka do sada. Kako je HfO2 već podudaran u silicijumskoj tehnologiji, naše otkriće nezavisno promjenljivih polarnih slojeva može pružiti mogućnosti za izradu ultra gustih i jeftinih FeRAM-ova ili FeFET-ova za memoriju ili primjenu u logičkim uređajima”.
Rad je objavljen u časopisu Science.
Izvor: techexplorist.com
