Od ovog rada se najviše očekuje doprinos za memorijske i logičke čipove u računarima.
Feroelektricitet je svojstvo određenih materijala koji imaju spontanu električnu polarizaciju, koja se može obrnuti pri izlaganju spoljašnjem električnom polju.
Naučnici sa Univerziteta Kalifornije, Berklija, objavili su pojavu feroelektriciteta u ultratankom dopiranom hafnijum-oksidu (HfO2), oksidu fluoritne strukture, koji se “uzgaja” naslaganjem atomskog sloja na silikonu. Oni su pokazali istrajnost degradiranja inverzne simetrije i spontane, promjenjive, polarizacije, do debljine od jednog nanometra.
Kao rezultat toga, materijal može efikasno da napaja najmanje uređaje manjom količinom energije.
Osim što je ultratanki materijal pokazao feroelektrična svojstva, taj efekat je bio jači od materijala debljeg za nekoliko nanometara, što je korjeniti napredak u oblasti feroelektriciteta.
Sajif Salahudin, profesor elektrotehnike i računara, rekao je: “Proizvodimo računarske uređaje, koji postaju sve manji i manji. Ne želimo da koristimo deblje materijale, jer nema prostora. Sa našim feroelektričnim materijalom, ne morate da brinete o prostoru”.
“Berklijev tim je proizveo dopirani hafnijum-oksid debljine jednog nanometra, na silikonu”.
“Ovo otkriće može dovesti do pravljenja naprednijih baterija i senzora. Ali, ono najviše obećava za memorijske i logičke čipove za računare”.
“Otkrivanje feroelektriciteta u folijama debljine samo 1 nm, znači da se ovakve skladišne ćelije mogu smanjiti da mjere manje nego što se ranije vjerovalo da je moguće”.
Ovaj rad je objavljen u časopisu nature.
Izvor: techexplorist.com